一、什么叫LED防爆燈的發(fā)光高效率？

LED防爆燈的發(fā)光高效率是指節(jié)能燈具的光視效率以耗費(fèi)1W額定功率造成是多少流明度流明值，也就是流明值與輸出功率的比率，企業(yè)是流/瓦（1m/W）。一般的規(guī)定發(fā)光高效率越高越好。逐步完善LED防爆燈的發(fā)光高效率，能夠提升 光輸出抗壓強(qiáng)度，使資源的使用率越來越高些。一般LED防爆燈生產(chǎn)廠家全是根據(jù)LED燈的基本原理來提升 等的發(fā)光高效率，如同下邊這幾類一樣：

1、運(yùn)用電級提升或電子器件結(jié)晶等來改進(jìn)器件GaNLED電流量的拓展特點(diǎn)；

2、提升 電流量遍布的勻稱性；

3、降低電流量的集聚效用；

4、根據(jù)完成提升 集成ic的出光高效率和轉(zhuǎn)換高效率，提升 器件爹康普頓效應(yīng)，提高商品的特性。

二、提升 LED防爆燈發(fā)光高效率的具體辦法詳細(xì)介紹：

1、LED防爆燈的LED燈珠晶體外觀設(shè)計(jì)的更改：更改LED防爆燈的矩形框外型樣子是一個(gè)合理提高發(fā)光高效率的方式。能夠依據(jù)光學(xué)原理去改。

2、LED防爆燈表面臟話技術(shù)性：將組件的內(nèi)部及其外界的幾何圖形樣子粗比，毀壞光源在組件內(nèi)部的全反射，提高組件的應(yīng)用高效率。鈍化處理方式大部分是在組件的幾何圖形樣子上產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)的凸凹樣子，而這類標(biāo)準(zhǔn)遍布的構(gòu)造也依地理位置的不一樣分為了二種方式，一種是在組件內(nèi)設(shè)定凸凹樣子，另一種方法是在組件上邊制做標(biāo)準(zhǔn)的凸凹樣子，并在組件反面設(shè)定反射層?，F(xiàn)階段若應(yīng)用光波長為405nm的紫外線組件，可以多得43%外界量子效率，取下高效率為60%。是現(xiàn)階段部位全一般較大的外界量子效率與取下高效率。

3、LED防爆燈集成ic粘貼技術(shù)性：是為了更好地降低GaAs基鋼板對LED所釋放光源的消化吸收，一部分科學(xué)研究組織明確提出全透明基鋼板是黏貼技術(shù)性。這也是LED燈集成ic的研究內(nèi)容之一。

4、LED防爆燈覆晶封裝技術(shù)性：用FlipChip構(gòu)造替代藍(lán)寶石毛基鋼板的GaN系列產(chǎn)品的原材料將要傳統(tǒng)式的組件反置，并在p型電級上邊制做透射率較高的反射層，藉以將原來從組件上邊傳出的光源從組件其他的發(fā)光視角導(dǎo)出來，而由藍(lán)色寶石基鋼板端緣取光。那樣的方式由于減少了在電級側(cè)的光耗損，可有貼近于傳統(tǒng)式封裝方法二倍上下的視度輸出。另一方面，由于覆晶構(gòu)造可立即通過電級或者凸塊與封裝構(gòu)造中的排熱構(gòu)造直接接觸，而大幅度提高組件的排熱實(shí)際效果，進(jìn)一步提高組件的流明值。

5、LED防爆燈全透明襯底技術(shù)性：除去GaAs襯底，代對于透明的GaP結(jié)晶。因?yàn)榧蒳c內(nèi)去除了襯底消化吸收區(qū)，使量子效率從4％提高到25‐30％。為進(jìn)一步減少電級區(qū)的消化吸收，有些人將這類全透明襯底型的InGaAlP器件制做成截角倒圓錐體的外觀設(shè)計(jì)，使量子效率擁有更高的提升 。

6、LED防爆燈陶瓷膜反射面技術(shù)性：即MB制造，較先除去GaAs襯底，隨后在其表面與Si底材表面與此同時(shí)蒸鍍Al質(zhì)陶瓷膜，隨后在一定的溫度與工作壓力下溶接在一起。這般，從發(fā)光層照射基鋼板的光源被Al質(zhì)陶瓷膜層反射面至集成ic表面，進(jìn)而使器件的發(fā)光高效率提升 2.5倍之上。

7、LED防爆燈表面薄膜光學(xué)技術(shù)性：表面薄膜光學(xué)制造是提升 器件出光高效率的又一個(gè)合理技術(shù)性，該技術(shù)性的基本上關(guān)鍵點(diǎn)是在集成ic表面離子注入很多規(guī)格為光的波長數(shù)量級的小構(gòu)造，每一個(gè)構(gòu)造呈截角四面體狀，這般不僅拓展了出光總面積，并且更改了光在集成ic表面處的映射方位，進(jìn)而使透光性高效率明顯增強(qiáng)。比較準(zhǔn)測量強(qiáng)調(diào)，針對對話框?qū)颖『駷?0μm的器件，出光高效率可提高30％。當(dāng)對話框?qū)颖『窠抵?0μm時(shí)，出光高效率將有60％的改善。針對585‐625nm光波長的LED器件，制做紋路構(gòu)造后，發(fā)光高效率可以達(dá)到30lm/w，其值已貼近全透明襯底器件的水準(zhǔn)。

8、LED防爆燈倒裝句高端芯片：根據(jù)MOCVD技術(shù)性在蘭寶石襯底上生長發(fā)育GaN基LED固層，由P/N結(jié)發(fā)光區(qū)傳出的光通過上邊的P型區(qū)射出去。因?yàn)镻型GaN傳導(dǎo)性耳聾能不佳，為得到 優(yōu)良的電流量拓展，必須 根據(jù)蒸鍍技術(shù)性在P區(qū)表面產(chǎn)生一層Ni‐Au構(gòu)成的金屬電極層。P區(qū)導(dǎo)線根據(jù)該層金屬材料塑料薄膜引出來。為得到 好的電流量拓展，Ni‐Au金屬電極層就不可以過薄。因此，器件的發(fā)光高效率便會(huì)遭受非常大危害，一般要與此同時(shí)兼具電流量拓展與出光高效率二個(gè)要素。但不管在什么情況，金屬材料塑料薄膜的存有，總是會(huì)使透光度能下降。除此之外，導(dǎo)線點(diǎn)焊的存有也使器件的出光高效率遭受危害。選用GaNLED倒裝句集成ic的構(gòu)造能夠從源頭上清除金屬材料塑料薄膜透光度會(huì)差，發(fā)光高效率差的狀況。

9、LED防爆燈集成ic鍵合技術(shù)性：伴隨著對鍵合原理的慢慢了解和鍵合制造技術(shù)性的慢慢完善，各種不同原材料的集成ic中間早已可以完成相互之間鍵合，進(jìn)而很有可能產(chǎn)生一些獨(dú)特主要用途的原材料和器件。如在單晶硅片上產(chǎn)生硅化物層再開展鍵合就可以產(chǎn)生一種新的構(gòu)造。因?yàn)楣杌锏膶?dǎo)電率很高，因而能夠替代雙極型器件中的隱埋層，進(jìn)而減少RC參量。

10、LED防爆燈激光器剝離技術(shù)：激光器剝離技術(shù)（LLO）是運(yùn)用激光器動(dòng)能溶解GaN/藍(lán)色寶石連接處的GaN緩存層，進(jìn)而完成LED外延片從藍(lán)色寶石襯底分離出來。技術(shù)性優(yōu)勢是外延片遷移到高導(dǎo)熱系數(shù)的熱沉上，可以改進(jìn)大規(guī)格集成ic中電流量拓展。n面為出亮面：發(fā)光總面積擴(kuò)大，電級采光小，有利于制取薄膜光學(xué)，而且降低離子注入、磨光片、片區(qū)。更關(guān)鍵的是藍(lán)色寶石襯底能夠反復(fù)應(yīng)用。